Voltage controlled terahertz transmission through GaN quantum wells - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2011

Voltage controlled terahertz transmission through GaN quantum wells

R. Sharma
  • Fonction : Auteur
S. Blin
L. Varani
M. Chmielowska
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Jp Faurie
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B. Beaumont
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P. Shiktorov
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E. Starikov
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V. Gruzinskis
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V. Korotyevyev
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V. Kochelap
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Résumé

We report measurements of radiation transmission in the 0.220--0.325 THz frequency domain through GaN quantum wells grown on sapphire substrates at room and low temperatures. A significant enhancement of the transmitted beam intensity with the applied voltage on the devices under test is found. For a deeper understanding of the physical phenomena involved, these results are compared with a phenomenological theory of light transmission under electric bias relating the transmission enhancement to changes in the differential mobility of the two-dimensional electron gas.
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Dates et versions

hal-00610356 , version 1 (25-05-2021)

Identifiants

Citer

T. Laurent, R. Sharma, J. Torres, P. Nouvel, S. Blin, et al.. Voltage controlled terahertz transmission through GaN quantum wells. Applied Physics Letters, 2011, 99 (8), pp.082101. ⟨10.1063/1.3627183⟩. ⟨hal-00610356⟩
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