Carrier Recombination Dynamics of Over-Excited Hexagonal GaN/AlN Quantum Dots. - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Carrier Recombination Dynamics of Over-Excited Hexagonal GaN/AlN Quantum Dots.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01310227 , version 1 (02-05-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01310227 , version 1

Citer

Pierre Lefebvre, Sokratis Kalliakos, Thierry Bretagnon, Thierry Taliercio, Bernard Gil, et al.. Carrier Recombination Dynamics of Over-Excited Hexagonal GaN/AlN Quantum Dots.. E-MRS Spring Meeting - Symposium L., European Materials Research Society, May 2004, Strasbourg, France. ⟨hal-01310227⟩
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