Nanoepitaxy of InAs∕InP quantum dots by metalorganic vapor phase epitaxy for 1.55μm emitters - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2006
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Dates et versions

hal-01939900 , version 1 (29-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01939900 , version 1

Citer

J. Benoit, L. Le Gratiet, G. Beaudoin, A. Michon, Guillaume Saint-Girons, et al.. Nanoepitaxy of InAs∕InP quantum dots by metalorganic vapor phase epitaxy for 1.55μm emitters. Applied Physics Letters, 2006, 88 (4), pp.041113. ⟨hal-01939900⟩
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