Effect of cap-layer growth rate on morphology and luminescence of InAs∕InP(001) quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2006

Effect of cap-layer growth rate on morphology and luminescence of InAs∕InP(001) quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01939903 , version 1 (29-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01939903 , version 1

Citer

A. Michon, I. Sagnes, G. Patriarche, G. Beaudoin, M. Mérat-Combes, et al.. Effect of cap-layer growth rate on morphology and luminescence of InAs∕InP(001) quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 2006, 100 (3), pp.033508. ⟨hal-01939903⟩
18 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More