Mesoporous GaN Made by Selective Area Sublimation for Efficient Light Emission on Si Substrate - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (b) Année : 2018

Mesoporous GaN Made by Selective Area Sublimation for Efficient Light Emission on Si Substrate

Stéphane Vézian
Jean Massies
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03553871 , version 1 (03-02-2022)

Identifiants

Citer

Benjamin Damilano, Stéphane Vézian, Jean Massies. Mesoporous GaN Made by Selective Area Sublimation for Efficient Light Emission on Si Substrate. physica status solidi (b), 2018, 255 (5), pp.1700392. ⟨10.1002/pssb.201700392⟩. ⟨hal-03553871⟩
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