Investigation on GaAs power MESFETs submitted to RF life-test by LF noise and drain current transient analysis - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système TOUS LABOS Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1999
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183476 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183476 , version 1

Citer

Nathalie Malbert, Benoit Lambert, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul, et al.. Investigation on GaAs power MESFETs submitted to RF life-test by LF noise and drain current transient analysis. IEEE GaAs Reliability Workshop, 1999, États-Unis. pp.1. ⟨hal-00183476⟩
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