Nouveaux capteurs de gaz réalisés à partir d'une couche épaisse sérigraphiée d'oxyde semiconducteur - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système TOUS LABOS Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1982

Nouveaux capteurs de gaz réalisés à partir d'une couche épaisse sérigraphiée d'oxyde semiconducteur

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00203854 , version 1 (11-01-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00203854 , version 1

Citer

Claude Lucat, Francis Menil, J. Portier, Jacques Pistre, Jean-Louis Aucouturier. Nouveaux capteurs de gaz réalisés à partir d'une couche épaisse sérigraphiée d'oxyde semiconducteur. Colloque International sur les composants passifs, 1982, France. pp.1. ⟨hal-00203854⟩
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