Beyond 100 GHz: High frequency device characterization for THz applications - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système TOUS LABOS Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Beyond 100 GHz: High frequency device characterization for THz applications

Zimmer_MOS-AK_Hanngzhou_2017.pdf (5.14 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-02379050 , version 1 (25-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02379050 , version 1

Citer

S. Fregonese, M Deng, M Potereau, M. de Matos, T. Zimmer. Beyond 100 GHz: High frequency device characterization for THz applications. Conférence invitée, 2nd Sino MOS-AK Workshop, Jun 2017, Hangzhou, China. ⟨hal-02379050⟩
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