Etude des mécanismes de dégradation des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP destinés aux communications optiques - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système TOUS LABOS Accéder directement au contenu
Thèse Année : 2004

Degradation mechanisms study of Bipolar Heterojunction Transistors grown on InP substrate for optical communications

Etude des mécanismes de dégradation des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP destinés aux communications optiques

Résumé

The purpose of this work is the evaluation of the reliability of Heterojunction Bipolar Transistors grown on InP substrate with implementation of specific experimental procedure. In the first part, the manufacturing process of the devices is described and the D.C. electrical characteristics are calculated with physical simulation. In the second part, the D.C. electrical characterization and the associated model allow to extract its parameters before ageing and to make a statistical study of the extracted values. In the third part, two specific parasitic electrical mechanisms in direct connection with the reliability of the devices are analyzed : the breakdown of the base-collector junction and the low-frequency noise. Finally, the study of the degradation mechanisms of aged devices under selected bias and thermal stress highlights a stability of the technology.
Ces travaux de recherche portent sur l'évaluation de la fiabilité des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP au moyen de la mise en place de techniques spécifiques adaptées. Avant tout, les procédés de fabrication de ces composants sont décrits et les caractéristiques électriques statiques sont calculées au moyen de la simulation physique. Ensuite, la caractérisation électrique statique et la modélisation associée permet l'extraction des paramètres du modèle avant les vieillissements accélérés puis leur étude statistique. Puis deux mécanismes électriques spécifiques qualifiés de parasites en relation directe avec la fiabilité de ces composants sont analysés en détail : le claquage de la jonction base-collecteur et le bruit basse-fréquence. Finalement, l'étude des mécanismes de dégradation effectuée à l'issue des vieillissements accélérés sous les différentes contraintes retenues en tension et en température met en évidence une stabilité de la technologie de ces composants.
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Dates et versions

tel-00010886 , version 1 (07-11-2005)
tel-00010886 , version 2 (08-11-2005)

Identifiants

  • HAL Id : tel-00010886 , version 2

Citer

Jean-Christophe Martin. Etude des mécanismes de dégradation des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP destinés aux communications optiques. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2004. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00010886v2⟩
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