Emission Control of InGaN Nanocolumns on Si(111) substrates Grown by MBE . - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00631744 , version 1 (13-10-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00631744 , version 1

Citer

Steven Albert, Pierre Lefebvre, J. Grandal, M.A. Sanchez-Garcia, E. Calleja. Emission Control of InGaN Nanocolumns on Si(111) substrates Grown by MBE .. 9th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS9., Jul 2011, Glasgow, United Kingdom. ⟨hal-00631744⟩
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