Terahertz photodetectors based on tapered semiconductor nanowires - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2014

Terahertz photodetectors based on tapered semiconductor nanowires

L. Romeo
  • Fonction : Auteur
Dominique Coquillat
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 869119
E. Husanu
  • Fonction : Auteur
D. Ercolani
A. Tredicucci
  • Fonction : Auteur
F. Beltram
  • Fonction : Auteur
L. Sorba
Wojciech Knap
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1011541
M. Vitiello
  • Fonction : Auteur

Résumé

We report on the demonstration of Terahertz (THz) broadband detectors based on field effect transistors exploiting tapered semiconductor nanowires. The intrinsic asymmetry provided by the nanowires geometry allows to achieve responsivity values as high as 55 V/W (2.5 mA/W) and a noise-equivalent-power of 3 × 10−10 W/Hz1/2 independent of the specific gate voltage applied. The possibility to reduce the number of terminals required to the source and drain contacts only and the technological feasibility of multi-pixel arrays are promising for the realization of compact and integrated THz matrix array detection systems.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01101034 , version 1 (07-01-2015)

Identifiants

Citer

L. Romeo, Dominique Coquillat, E. Husanu, D. Ercolani, A. Tredicucci, et al.. Terahertz photodetectors based on tapered semiconductor nanowires. Applied Physics Letters, 2014, pp.231112. ⟨10.1063/1.4903473⟩. ⟨hal-01101034⟩
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