High temperature annealing and CVD growth of few-layer graphene on bulk AlN and AlN templates - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2017

High temperature annealing and CVD growth of few-layer graphene on bulk AlN and AlN templates

R. Dagher
  • Fonction : Auteur
S. Matta
  • Fonction : Auteur
Romain Parret
Matthieu Paillet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1000232
Benoit Jouault
L. Nguyen
  • Fonction : Auteur
M. Portail
M. Zielinski
  • Fonction : Auteur
T. Chassagne
  • Fonction : Auteur
J. Brault
  • Fonction : Auteur
Y. Cordier
A. Michon

Résumé

Graphene and AlN are promising materials, interesting to combine together. In this study, we will present first results for direct growth of graphene on bulk AlN and on AlN templates using chemical vapor deposition, including the annealing of these substrates at high temperatures. Atomic force microscopy (AFM) enabled us to study the evolution of the AlN surface morphology after annealing and growth. Few-layer graphene deposition is demonstrated on the basis of X-ray photoemission and Raman spectroscopy
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01563258 , version 1 (17-07-2017)

Identifiants

Citer

R. Dagher, S. Matta, Romain Parret, Matthieu Paillet, Benoit Jouault, et al.. High temperature annealing and CVD growth of few-layer graphene on bulk AlN and AlN templates. physica status solidi (a), 2017, 214 (4), pp.1600436. ⟨10.1002/pssa.201600436⟩. ⟨hal-01563258⟩
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