InP double heterojunction bipolar transistors for terahertz computed tomography - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue AIP Advances Année : 2018

InP double heterojunction bipolar transistors for terahertz computed tomography

Dominique Coquillat
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 869119
Alexandre Duhant
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1373362
  • IdRef : 238129756
Meriam Triki
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1036829
Olivier Strauss
Wojciech Knap
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1011541

Résumé

We present experimental studies of terahertz radiation detection by InP double heterojunction based transistors. We analyze the relation between their static characteristics and the experimentally determined voltage and current responsivities, showing importance of internal device parasitic capacitances and the external circuit loading effects. Finally, we demonstrate the use of these transistors for terahertz radiation computed tomography leading to 3D visualization of concealed objects. Our results pave the way towards wide use of heterojunction based transistors for terahertz imaging.
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Dates et versions

hal-01900570 , version 1 (06-06-2019)

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Paternité

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Citer

Dominique Coquillat, Alexandre Duhant, Meriam Triki, Virginie Nodjiadjim, Agnieszka Konczykowska, et al.. InP double heterojunction bipolar transistors for terahertz computed tomography. AIP Advances, 2018, 8, pp.#085320. ⟨10.1063/1.5039331⟩. ⟨hal-01900570⟩
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