Article Dans Une Revue
Journal of Physical Chemistry C
Année : 2011
Jean-Jacques Gallet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03964352
Soumis le : mardi 31 janvier 2023-08:18:55
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14
Citer
J.-J. Gallet, F. Bournel, F. Rochet, U. Köhler, S. Kubsky, et al.. Isolated Silicon Dangling Bonds on a Water-Saturated n + -Doped Si(001)-2 × 1 Surface: An XPS and STM Study. Journal of Physical Chemistry C, 2011, 115 (15), pp.7686-7693. ⟨10.1021/jp201262x⟩. ⟨hal-03964352⟩
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