Isolated Silicon Dangling Bonds on a Water-Saturated n + -Doped Si(001)-2 × 1 Surface: An XPS and STM Study - Laboratoire de Chimie Physique-Matière et Rayonnement Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physical Chemistry C Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03964352 , version 1 (31-01-2023)

Identifiants

Citer

J.-J. Gallet, F. Bournel, F. Rochet, U. Köhler, S. Kubsky, et al.. Isolated Silicon Dangling Bonds on a Water-Saturated n + -Doped Si(001)-2 × 1 Surface: An XPS and STM Study. Journal of Physical Chemistry C, 2011, 115 (15), pp.7686-7693. ⟨10.1021/jp201262x⟩. ⟨hal-03964352⟩
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