Changements de phase du gallium à la pression atmosphérique - Laboratoire Interfaces et Systèmes Electrochimiques Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique Année : 1966

Changements de phase du gallium à la pression atmosphérique

Résumé

Après avoir signalé l'importance du choix des échantillons de faible volume dans l'étude de la germination dans le gallium liquide, on montre que les conditions de la germination homogène sont réalisées vers — 123 °C pour certaines gouttelettes provenant de J'émulsion du métal liquide ; la phase solide qui apparaît est alors la forme métastable Gaβ et l'on mesure l'enthalpie libre interfaciale entre le liquide et un germe de Gaβ. Ces échantillons liquides ne cristallisent qu'exceptionnellement en la forme stable Gaα, mais on peut aussi obtenir une deuxième phase solide métastable Gaγ dont on détermine quelques propriétés physiques. Par leurs paramètres thermodynamiques, les formes Gaβ et Gaγ sont identifiées respectivement aux formes Ga II et Ga III stables à haute pression. Des considérations sur la règle des degrés d'Ostwald permettent de justifier l'obtention de ces formes métastables à partir des états liquide ou vapeur.

Domaines

Articles anciens
Fichier principal
Vignette du fichier
ajp-jphys_1966_27_1-2_61_0.pdf (1.67 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Accord explicite pour ce dépôt

Dates et versions

jpa-00206369 , version 1 (04-02-2008)

Identifiants

Citer

Louis Bosio, André Defrain, Israël Epelboin. Changements de phase du gallium à la pression atmosphérique. Journal de Physique, 1966, 27 (1-2), pp.61-71. ⟨10.1051/jphys:01966002701-206100⟩. ⟨jpa-00206369⟩
70 Consultations
872 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More