Réalisation et caractérisation de contacts ohmiques sur diamant CVD
Résumé
Dans ce papier, nous présentons nos travaux concernant la fabrication et la caractérisation de contacts ohmiques sur diamant CVD. La première partie fait état de nos avancées concernant le dopage du diamant par implantation ionique de bore. Ensuite, nous présentons les contacts ohmiques que nous avons déposés et caractérisés par méthode TLM. Les deux technologies envisagées, Ti/Pt/Au et Si/Al, donnent des résistances caractéristiques de contact compatibles avec une utilisation en électronique de puissance, de l'ordre de 1.10-5 Ω.cm2. La troisième partie traite de nos avancées dans la mise au point d'une plate-forme de simulation des dispositifs en diamant.
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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