Réalisation et caractérisation de contacts ohmiques sur diamant CVD - Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Réalisation et caractérisation de contacts ohmiques sur diamant CVD

Résumé

Dans ce papier, nous présentons nos travaux concernant la fabrication et la caractérisation de contacts ohmiques sur diamant CVD. La première partie fait état de nos avancées concernant le dopage du diamant par implantation ionique de bore. Ensuite, nous présentons les contacts ohmiques que nous avons déposés et caractérisés par méthode TLM. Les deux technologies envisagées, Ti/Pt/Au et Si/Al, donnent des résistances caractéristiques de contact compatibles avec une utilisation en électronique de puissance, de l'ordre de 1.10-5 Ω.cm2. La troisième partie traite de nos avancées dans la mise au point d'une plate-forme de simulation des dispositifs en diamant.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-01002267 , version 1 (05-06-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01002267 , version 1

Citer

de Fabian Gabriel Civrac, Henri Schneider, Hui Ding, Karine Isoird, J. Achard. Réalisation et caractérisation de contacts ohmiques sur diamant CVD. XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 5 p. ⟨hal-01002267⟩
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