Molecular dynamics calculations of CH 3 sticking coefficient onto diamond surfaces - Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Plasma Processes and Polymers Année : 2015

Molecular dynamics calculations of CH 3 sticking coefficient onto diamond surfaces

Résumé

A molecular dynamics model is implemented in a way dedicated to simulate initial conditions close to microwave plasma deposition of thick single crystal diamond films. The sticking coefficient of CH 3 radical is obtained for (111) and (100) surface at three gas and substrate temperatures: 1120, 1200 and 1500 K. A low value of 5 · 10 −4 is obtained, which is consistent with experimental findings claiming values less than 0.01 or equating to 8 · 10 −3 at 1120 K.

Domaines

Plasmas Matériaux
Fichier principal
Vignette du fichier
PPP_SBRGrev.pdf (328.49 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-01120838 , version 1 (26-02-2015)

Identifiants

Citer

Laurent Schwaederlé, Pascal Brault, Cathy Rond, Alix Gicquel. Molecular dynamics calculations of CH 3 sticking coefficient onto diamond surfaces. Plasma Processes and Polymers, 2015, 12, pp.764-770. ⟨10.1002/ppap.201400223⟩. ⟨hal-01120838⟩
102 Consultations
1409 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More