High power GaInAsSb/AlGaAsSb quantum well laser diodes emitting at 2.28 µm - Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

High power GaInAsSb/AlGaAsSb quantum well laser diodes emitting at 2.28 µm

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01798887 , version 1 (24-05-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01798887 , version 1

Citer

A. Salhi, Y. Rouillard, A. Pérona, P. Grech, F. Chevrier, et al.. High power GaInAsSb/AlGaAsSb quantum well laser diodes emitting at 2.28 µm . 5th international workshop on laser physics and its applications, 2002, Tunis, Tunisia. ⟨hal-01798887⟩
65 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More