Actionnement optique de commutateurs RF à changement de phase GeTe : Comparaison des performances pour différentes tailles de GeTe - Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Actionnement optique de commutateurs RF à changement de phase GeTe : Comparaison des performances pour différentes tailles de GeTe

Florence Podevin

Résumé

Cet article présente des commutateurs à base de GeTe pour des applications RF, commutant de manière réversible entre leurs états ON et OFF grâce à l'actionnement optique par irradiation. Contrairement à ce qui a été présenté jusqu'à présent, la transition est induite par des impulsions laser infrarouges, à 915 nm, ce qui est très encourageant pour l'intégration ultérieure de sources laser. Nos travaux ont révélé l'efficacité de PCMs larges et épais, permettant une commutation bi-stable à des fréquences élevées allant jusqu'à 40 GHz, avec un FoM de 31.5 fs correspondant à une conductivité du GeTe de 1.85•10 5 S/m. En outre, des progrès significatifs par rapport à la littérature ont été réalisés en dépassant 30k cycles avec l'actionnement optique.
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Dates et versions

hal-04775687 , version 1 (10-11-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04775687 , version 1

Citer

Ayoub Naoui, Ismaël Charlet, Sylvain Guerber, Benoit Charbonnier, Cecilia Dupré, et al.. Actionnement optique de commutateurs RF à changement de phase GeTe : Comparaison des performances pour différentes tailles de GeTe. JNM 2024 - 23èmes Journées Nationales Microondes, Jun 2024, Antibes-Juan-Les-Pins, France. ⟨hal-04775687⟩
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