Amplificateur de puissance en technologie CMOS 28 nm pour radar automobile
Résumé
Un amplificateur de puissance à 4 voies fonctionnant à 79 GHz, et implémenté en technologie CMOS 28 nm est présenté dans cet article. L’architecture du PA a été choisie de telle manière à maximiser la PAE. Chaque PA unitaire est composé de 3 étages. Pour chaque étage, un predriver est d’abord implémenté en topologie de cascode neutralisé, suivi de deux étages montés en source commune. Les simulations post-layout permettent d’espérer les performances suivantes : un gain en puissance Gp de 21 dB, une puissance de sortie de saturation Psat de 18.2 dBm, et une puissance à 1 dB de compression de 14 dBm. Les performances de ce PA offrent un bon compromis entre la puissance consommée, la taille de la puce et la puissance de sortie. A la connaissance des auteurs, le PA proposé offre la meilleure PAE comparativement à l’état de l’art des technologies CMOS inférieures à 65 nm dédiées aux applications du radar automobile.
Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
---|