Gain Modeling of Strained InGaAsP Based MQW Optical Amplifiers - Physique de la matière condensée (PMC) Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Photonics Technology Letters Année : 1997

Gain Modeling of Strained InGaAsP Based MQW Optical Amplifiers

Résumé

Experimental gain spectra of two strained multiquantum-well (MQW) optical amplifiers are compared to theoretical results obtained from Fermi's golden rule and a four-band k 1 p method. Good agreement is found for both TE and TM modes on each structure. Index Terms-Integrated optoelectronics, quantum-well devices , semiconductor device modeling, semiconductor optical amplifiers , strain.
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Origine : Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte

Dates et versions

hal-02442496 , version 1 (27-11-2022)

Identifiants

Citer

Grégoire Debaisieux, Moustapha Guemmouri, Sandrine Chelles, Abdallah Ougazzaden, Guillaume Hervé-Gruyer, et al.. Gain Modeling of Strained InGaAsP Based MQW Optical Amplifiers. IEEE Photonics Technology Letters, 1997, 9 (11), pp.1475-1477. ⟨10.1109/68.634713⟩. ⟨hal-02442496⟩
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