MBE growth of high quality AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate with RF small signal and power performances - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

MBE growth of high quality AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate with RF small signal and power performances

Y. Cordier
F. Semond
  • Fonction : Auteur
P. Lorenzini
  • Fonction : Auteur
N. Grandjean
F. Natali
  • Fonction : Auteur
B. Damilano
J. Massies
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
A. Minko
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
B. Dessertenne
  • Fonction : Auteur
S. Cassette
  • Fonction : Auteur
Et Al.
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149696 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149696 , version 1

Citer

Y. Cordier, F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, F. Natali, et al.. MBE growth of high quality AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate with RF small signal and power performances. 2002, pp.99-100. ⟨hal-00149696⟩
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