Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2001
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00152490
Soumis le : jeudi 7 juin 2007-08:57:28
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00152490 , version 1
Citer
B. Grandidier, S. Silvestre, J.P. Nys, Thierry Melin, D. Bernard-Loridant, et al.. H-Si doping profile in GaAs by scanning tunneling microscopy. Applied Physics Letters, 2001, 79, pp.3278-3280. ⟨hal-00152490⟩
Collections
26
Consultations
0
Téléchargements