H-Si doping profile in GaAs by scanning tunneling microscopy - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2001

H-Si doping profile in GaAs by scanning tunneling microscopy

S. Silvestre
  • Fonction : Auteur
J.P. Nys
  • Fonction : Auteur
Thierry Melin
D. Bernard-Loridant
D. Stievenard
E. Constant
  • Fonction : Auteur
Jacques Chevallier
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152490 , version 1 (07-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152490 , version 1

Citer

B. Grandidier, S. Silvestre, J.P. Nys, Thierry Melin, D. Bernard-Loridant, et al.. H-Si doping profile in GaAs by scanning tunneling microscopy. Applied Physics Letters, 2001, 79, pp.3278-3280. ⟨hal-00152490⟩
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