Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 1997
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183096 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183096 , version 1

Citer

Cristell Maneux, Nathalie Labat, Nathalie Saysset, Andre Touboul, Yves Danto. Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current. Microelectronics Reliability, 1997, 37, pp.1. ⟨hal-00183096⟩
45 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More