Plasma wave detection of terahertz radiation by silicon field effects transistors: Responsivity and noise equivalent power - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2006

Plasma wave detection of terahertz radiation by silicon field effects transistors: Responsivity and noise equivalent power

Frederic Teppe
Dominique Coquillat
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  • PersonId : 869119
Wojciech Knap
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Y. M. Meziani
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C. Gallon
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F. Boeuf
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T. Skotnicki
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C. Fenouillet-Beranger
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Duncan Kennedy Maude
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S. Rumyantsev
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M. S. Shur
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Résumé

Si metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) with the gate lengths of 120-300 nm have been studied as room temperature plasma wave detectors of 0.7 THz electromagnetic radiation. In agreement with the plasma wave detection theory, the response was found to depend on the gate length and the gate bias. The obtained values of responsivity (<= 200 V/W) and noise equivalent power (>= 10(-10) W/Hz(0.5)) demonstrate the potential of Si MOSFETs as sensitive detectors of terahertz radiation. (c) 2006 American Institute of Physics.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00541599 , version 1 (30-11-2010)

Identifiants

Citer

R. Tauk, Frederic Teppe, Stephane Boubanga Tombet, Dominique Coquillat, Wojciech Knap, et al.. Plasma wave detection of terahertz radiation by silicon field effects transistors: Responsivity and noise equivalent power. Applied Physics Letters, 2006, 89, pp.253511. ⟨10.1063/1.2410215⟩. ⟨hal-00541599⟩
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