Growth of Few Graphene Layers on 6H, 4H and 3C-SiC Substrates - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Growth of Few Graphene Layers on 6H, 4H and 3C-SiC Substrates

Nicolas Camara
Jean-Roch Huntzinger
Antoine Tiberj
G. Rius
  • Fonction : Auteur
Benoit Jouault
F. Perez-Murano
  • Fonction : Auteur
N. Mestres
  • Fonction : Auteur
P. Godignon
  • Fonction : Auteur
Jean Camassel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 839246

Résumé

We report a comparative investigation of Few layers graphene grown on 6H, 4H, and 3C-SiC substrates. We show that the size of the graphitic domains depends more on the < 0001 > SiC Surface orientation than the polytypism.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00543294 , version 1 (06-12-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00543294 , version 1

Citer

Nicolas Camara, Jean-Roch Huntzinger, Antoine Tiberj, G. Rius, Benoit Jouault, et al.. Growth of Few Graphene Layers on 6H, 4H and 3C-SiC Substrates. 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2008, Barcelona (SPAIN), France. pp.203-206. ⟨hal-00543294⟩
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