Complete optical characterization of multilayered InxGa1-xN/GaN structures grown by MOCVD on sapphire substrates - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Complete optical characterization of multilayered InxGa1-xN/GaN structures grown by MOCVD on sapphire substrates

A. Gokarna
  • Fonction : Auteur
A. Stolz
El Hadj Dogheche
J. Teng
  • Fonction : Auteur
W. Liu
  • Fonction : Auteur
S.J. Chua
  • Fonction : Auteur
E. Dumont
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00575300 , version 1 (10-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00575300 , version 1

Citer

A. Gokarna, A. Stolz, El Hadj Dogheche, Didier Decoster, J. Teng, et al.. Complete optical characterization of multilayered InxGa1-xN/GaN structures grown by MOCVD on sapphire substrates. 5th International Conference for Materials Advanced Technologies, ICMAT 2009, Symposium O: Compound Semiconductor Photonics: Materials, Devices and Integration, 2009, _, France. ⟨hal-00575300⟩
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