Full-3D real-space treatment of surface roughness in double gate MOSFETs - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Full-3D real-space treatment of surface roughness in double gate MOSFETs

C. Buran
  • Fonction : Auteur
M. G. Pala
S. Poli
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604232 , version 1 (28-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604232 , version 1

Citer

C. Buran, M. G. Pala, S. Poli, M. Mouis. Full-3D real-space treatment of surface roughness in double gate MOSFETs. Int. Conference on Ultimate Integration of Silicon, Aachen,, Mar 2009, Germany. pp.47-50. ⟨hal-00604232⟩
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