Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00604232
Soumis le : mardi 28 juin 2011-14:59:47
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:13:51
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00604232 , version 1
Citer
C. Buran, M. G. Pala, S. Poli, M. Mouis. Full-3D real-space treatment of surface roughness in double gate MOSFETs. Int. Conference on Ultimate Integration of Silicon, Aachen,, Mar 2009, Germany. pp.47-50. ⟨hal-00604232⟩
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