Imaging above 1 THz Limit with Si-MOSFET Detectors - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Imaging above 1 THz Limit with Si-MOSFET Detectors

F. Schuster
  • Fonction : Auteur
Hadley Videlier
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 902021
M. Sakowicz
  • Fonction : Auteur
Frederic Teppe
Dominique Coquillat
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 869119
B. Dupont
  • Fonction : Auteur
A. Siligaris
  • Fonction : Auteur
L. Dussopt
  • Fonction : Auteur
B. Giffard
  • Fonction : Auteur
Wojciech Knap
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1011541

Résumé

We demonstrate that a proper antenna and transistor design can provide high responsivity for Terahertz radiation and imaging capability even above the 1 THz limit with a low-cost 130 nm CMOS technology. This result opens the way to CMOS THz imagers working at high frequencies and therefore exhibiting high a spatial resolution - down to similar to 300 mu m.

Mots clés

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00636140 , version 1 (26-10-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00636140 , version 1

Citer

F. Schuster, Hadley Videlier, M. Sakowicz, Frederic Teppe, Dominique Coquillat, et al.. Imaging above 1 THz Limit with Si-MOSFET Detectors. 35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Sep 2010, Rome, Italy. pp.1. ⟨hal-00636140⟩
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