Structural and compositional characterization of MOVPE GaN thin films transferred from sapphire to glass substrates using chemical lift-off and room temperature direct wafer bonding and GaN wafer scale MOVPE growth on ZnO-buffered sapphire - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2013

Structural and compositional characterization of MOVPE GaN thin films transferred from sapphire to glass substrates using chemical lift-off and room temperature direct wafer bonding and GaN wafer scale MOVPE growth on ZnO-buffered sapphire

T. Moudakir
  • Fonction : Auteur
D.J. Rogers
  • Fonction : Auteur
V. E. Sandana
  • Fonction : Auteur
F. Hosseini Teherani
  • Fonction : Auteur
P. Bove
  • Fonction : Auteur
Y. El Gmili
  • Fonction : Auteur
K. Pantzas
S. Sundaram
  • Fonction : Auteur
P.L. Voss
  • Fonction : Auteur
A. Ougazzaden

Dates et versions

hal-00784989 , version 1 (05-02-2013)

Identifiants

Citer

S. Gautier, T. Moudakir, G. Patriarche, D.J. Rogers, V. E. Sandana, et al.. Structural and compositional characterization of MOVPE GaN thin films transferred from sapphire to glass substrates using chemical lift-off and room temperature direct wafer bonding and GaN wafer scale MOVPE growth on ZnO-buffered sapphire. Journal of Crystal Growth, 2013, 370, pp.63-67. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2012.08.048⟩. ⟨hal-00784989⟩
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