Terahertz Imaging Using Strained-Si MODFETs as Sensors - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Terahertz Imaging Using Strained-Si MODFETs as Sensors

Y.M Meziani
  • Fonction : Auteur
E Garcia-Garcia
  • Fonction : Auteur
J Velazquez-Perez
  • Fonction : Auteur
Dominique Coquillat
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 869119
Nina Diakonova
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 883858
Wojciech Knap
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1011541
I Grigelionis
  • Fonction : Auteur
K Fobelets
  • Fonction : Auteur

Résumé

Development of new terahertz (THz) sensors is increasing in interest due to their potential for THz imaging and spectroscopy. One alternative to develop direct THz sensors is based in the oscillation of the plasma waves in the channel of sub-micron FETs.The n-channel Si/SiGe MODFETs used in this study were grown by MBE on a thick relaxed SiGe virtual substrate grown by low-energy PECVD on plain Si wafers.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00816948 , version 1 (23-04-2013)

Identifiants

Citer

Y.M Meziani, E Garcia-Garcia, J Velazquez-Perez, Dominique Coquillat, Nina Diakonova, et al.. Terahertz Imaging Using Strained-Si MODFETs as Sensors. International Conference on Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), 2012, Jun 2012, Berkeley, CA, United States. pp.1, ⟨10.1109/ISTDM.2012.6222464⟩. ⟨hal-00816948⟩
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