Evaluation of plasma parameters on PEALD deposited TaCN - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2013

Evaluation of plasma parameters on PEALD deposited TaCN

Résumé

In this article influence of plasma parameters on TaCN deposition using Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) is studied. TaCN is deposited on 300 mm Si substrate with the organometallic precursor Tertiary-ButylimidoTrisDiEthyl-aminoTantalum (TBTDET) and H2/Ar plasma at different plasma power. Thickness, density, roughness, resistivity, crystallography and composition of the obtained layers were analysed by X-ray Reflection (XRR), 4 points probe measurement, X-ray Diffraction (XRD) and X-ray Photoelectron Spectrometry (XPS) respectively. Results show an evolution of the material with the increase of plasma power from a TaN-like to a TaC-like material.

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Electronique
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Fabien Piallat, Virginie Beugin, Remy Gassilloud, Philippe Michallon, Laurent Dussault, et al.. Evaluation of plasma parameters on PEALD deposited TaCN. Microelectronic Engineering, 2013, 107, pp.156-160. ⟨10.1016/j.mee.2012.08.020⟩. ⟨hal-00908477⟩
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