The effect of a transverse magnetic field on 1/f noise in graphene - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2013

The effect of a transverse magnetic field on 1/f noise in graphene

S. L. Rumyantsev
  • Fonction : Auteur
Dominique Coquillat
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 869119
R. Ribeiro
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Michel Goiran
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Wojciech Knap
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  • PersonId : 1011541
M. S. Shur
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A. A. Balandin
  • Fonction : Auteur
M. E. Levinshtein
  • Fonction : Auteur

Résumé

The low frequency 1/f noise in graphene devices was studied in a transverse magnetic field of up to B = 14 T at temperatures T = 80 K and T = 285 K. The examined devices revealed a large physical magnetoresistance typical for graphene. At low magnetic fields (B < 2 T), the level of 1/f noise decreases with the magnetic field at both temperatures. The details of the 1/f noise response to the magnetic field depend on the gate voltage. However, in the high magnetic fields (B > 2 T), a strong increase of the noise level was observed for all gate biases.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00918350 , version 1 (13-12-2013)

Identifiants

Citer

S. L. Rumyantsev, Dominique Coquillat, R. Ribeiro, Michel Goiran, Wojciech Knap, et al.. The effect of a transverse magnetic field on 1/f noise in graphene. Applied Physics Letters, 2013, 103 (17), pp.173114. ⟨10.1063/1.4826644⟩. ⟨hal-00918350⟩
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