Electrical characterization of silicon and silicon-germanium nanowires Field effect transistors - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Electrical characterization of silicon and silicon-germanium nanowires Field effect transistors

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00955743 , version 1 (05-03-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00955743 , version 1

Citer

B. Salem, G. Rosaz, N. Pauc, P. Gentile, F. Bassani, et al.. Electrical characterization of silicon and silicon-germanium nanowires Field effect transistors. RAM2013 - Research to Applications & Markets, Jun 2013, Sousse, Tunisia. ⟨hal-00955743⟩
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