Interface Traps in InAs Nanowire Tunnel FETs and MOSFET -Part II: Comparative Analysis and Trap-Induced Variability - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2013
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Dates et versions

hal-01017503 , version 1 (02-07-2014)

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Citer

D. Esseni, M.G. Pala. Interface Traps in InAs Nanowire Tunnel FETs and MOSFET -Part II: Comparative Analysis and Trap-Induced Variability. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (9), pp.2802-2807. ⟨10.1109/TED.2013.2274197⟩. ⟨hal-01017503⟩
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