Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01017503
Soumis le : mercredi 2 juillet 2014-16:09:23
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:50:03
Citer
D. Esseni, M.G. Pala. Interface Traps in InAs Nanowire Tunnel FETs and MOSFET -Part II: Comparative Analysis and Trap-Induced Variability. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (9), pp.2802-2807. ⟨10.1109/TED.2013.2274197⟩. ⟨hal-01017503⟩
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