Développement de nouvelles stratégies de croissance pour réduire la densité de dislocations dans les monocristaux de diamant CVD. - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Développement de nouvelles stratégies de croissance pour réduire la densité de dislocations dans les monocristaux de diamant CVD.

Résumé

H2/O2 plasma treatments offer advantages over other etching processes of diamond as a technique to prepare the substrate's surface prior to homoepitaxial CVD diamond growth particularly in the case of thick films. It allows removing surface defects induced by polishing, thus leading to an improved morphology and limiting the stress within the grown crystal. Nevertheless, this treatment induces surface roughness leading to dislocation formation when CVD growth is initiated. In this paper we combined H2/O2 plasma etching with smoother surface treatment such as RIE-ICP etching or Chemo-Mechanical Polishing and we showed a significant reduction in dislocation density of the thick CVD epitaxial layers.
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Dates et versions

hal-01065426 , version 1 (18-09-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01065426 , version 1

Citer

Mehdi Naamoun, Jocelyn Achard, Alexandre Tallaire, Vianney Mille, Pascal Doppelt, et al.. Développement de nouvelles stratégies de croissance pour réduire la densité de dislocations dans les monocristaux de diamant CVD.. Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065426⟩
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