Design Options for Hetero-Junction Tunnel FETs with High on Current and Steep Sub-VT Slope - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01074151 , version 1 (13-10-2014)

Identifiants

Citer

S. Brocard, M.G. Pala, D. Esseni. Design Options for Hetero-Junction Tunnel FETs with High on Current and Steep Sub-VT Slope. IEDM 2013, Dec 2013, Washington, United States. pp.128-131, ⟨10.1109/IEDM.2013.6724567⟩. ⟨hal-01074151⟩
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