Contribution of the gate leakage current to terahertz detection by Asymmetric Dual-Grating Gate HEMT structures
Dominique Coquillat
(1)
,
Y. Kurita
,
K. Kobayashi
,
Frederic Teppe
(1)
,
Nina Diakonova
(1)
,
Christophe Consejo
(1)
,
Dmytro But
(1)
,
L. Tohme
(2)
,
P. Nouvel
(2, 3)
,
S. Blin
(2, 3)
,
J. Torres
(2, 3)
,
A. Pénarier
(2, 3)
,
T. Otsuji
,
Wojciech Knap
(1)
Y. Kurita
- Fonction : Auteur
K. Kobayashi
- Fonction : Auteur
Frederic Teppe
- Fonction : Auteur
- PersonId : 741173
- IdHAL : frederic-teppe
- ORCID : 0000-0002-1516-2112
- IdRef : 079291422
P. Nouvel
- Fonction : Auteur
- PersonId : 172264
- IdHAL : philippe-nouvel
S. Blin
- Fonction : Auteur
- PersonId : 16332
- IdHAL : stephane-blin
- ORCID : 0000-0003-4339-6861
- IdRef : 078758742
J. Torres
- Fonction : Auteur
- PersonId : 19292
- IdHAL : jeremie-torres
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- IdRef : 069404429
A. Pénarier
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : annick-penarier
- ORCID : 0000-0002-4635-4846
- IdRef : 068654405
T. Otsuji
- Fonction : Auteur
Résumé
We present experimental study of terahertz
detection by asymmetric dual-grating gate HEMT structures.
The separate contributions of the gate leakage current and the
loading effect to the rectification signal in the sub-threshold
region was investigated versus temperature and frequency range.