Caractérisation et extraction du schéma équivalent petit signal en bande G de transistor bipolaire à hétérojonction SiGe:C de dernière génération et montrant des performances fT/fmax=300/400 GHz
Résumé
La validation jusqu’à 220 GHz du modèle petit signal de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe de la technologie B5T de STMicroelectronics de dernière génération est pour la première fois présentée. Ce modèle équivalent petit signal a été extrait jusqu’à 110 GHz et validé par des mesures hyperfréquences jusqu’à 220 GHz. Ce travail permet d’envisager la conception de circuits à ces fréquences, tels que des amplificateurs large bande dédiés au test in-situ.