Caractérisation et extraction du schéma équivalent petit signal en bande G de transistor bipolaire à hétérojonction SiGe:C de dernière génération et montrant des performances fT/fmax=300/400 GHz - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Caractérisation et extraction du schéma équivalent petit signal en bande G de transistor bipolaire à hétérojonction SiGe:C de dernière génération et montrant des performances fT/fmax=300/400 GHz

Résumé

La validation jusqu’à 220 GHz du modèle petit signal de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe de la technologie B5T de STMicroelectronics de dernière génération est pour la première fois présentée. Ce modèle équivalent petit signal a été extrait jusqu’à 110 GHz et validé par des mesures hyperfréquences jusqu’à 220 GHz. Ce travail permet d’envisager la conception de circuits à ces fréquences, tels que des amplificateurs large bande dédiés au test in-situ.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01402473 , version 1 (24-11-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01402473 , version 1

Citer

Marina Deng, Thomas Quémerais, Daniel Gloria, Pascal Chevalier, Sylvie Lepilliet, et al.. Caractérisation et extraction du schéma équivalent petit signal en bande G de transistor bipolaire à hétérojonction SiGe:C de dernière génération et montrant des performances fT/fmax=300/400 GHz. 18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, May 2013, Paris, France. papier J2-DA-P11, 4 p. ⟨hal-01402473⟩
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