Design of an efficient and wideband two-stage GaN-HEMT power modulator - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Design of an efficient and wideband two-stage GaN-HEMT power modulator

Abhijeet Dasgupta
Philippe Bouysse
Jean-Michel Nebus
Raymond Quéré

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01432534 , version 1 (11-01-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01432534 , version 1

Citer

Abhijeet Dasgupta, Philippe Bouysse, Jean-Michel Nebus, Raymond Quéré. Design of an efficient and wideband two-stage GaN-HEMT power modulator. 8th Wide Bandgap Semiconductors and Components Workshop, ESA-ECSAT, Sep 2016, Harwell, United Kingdom. ⟨hal-01432534⟩
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