Terahertz detection by AlGaN/GaN HEMTs at high intensity - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Terahertz detection by AlGaN/GaN HEMTs at high intensity

Nina Diakonova
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  • PersonId : 996377
Dominique Coquillat
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Dmytro But
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Frederic Teppe
Wojciech Knap
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P. Faltermeier
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P. Olbrich
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S. D. Ganichev
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K. Szkudlarek
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G. Cywinski
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Résumé

We report on the photoresponse of AlGaN/GaN HEMT to THz radiation of low and high intensity. We show that the response vs. gate bias dependence can be described by the theory of Dyakonov-Shur in the whole range of radiation intensity. Unusual behavior of the photoresponse vs. intensity was observed under laser irradiation: a quadratic increase of the response followed by saturation. We speculate that this phenomenon can be explained by hot electrons capture by traps in AlGaN or buffer layers.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01436847 , version 1 (16-01-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01436847 , version 1

Citer

Nina Diakonova, Dominique Coquillat, Dmytro But, Frederic Teppe, Wojciech Knap, et al.. Terahertz detection by AlGaN/GaN HEMTs at high intensity. 2016 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROWAVE, RADAR AND WIRELESS COMMUNICATIONS (MIKON), Apr 2016, Cracovie, Poland. pp.1. ⟨hal-01436847⟩
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