1310 nm hybrid InP/InGaAsP on silicon distributed feedback laser with high side-mode suppression ratio - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Optics Express Année : 2015

1310 nm hybrid InP/InGaAsP on silicon distributed feedback laser with high side-mode suppression ratio

Résumé

We report on the design, fabrication and performance of a hetero-integrated III-V on silicon distributed feedback lasers (DFB) at 1310 nm based on direct bonding and adiabatic coupling. The continuous wave (CW) regime is achieved up to 55 degrees C as well as modehop-free operation with side-mode suppression ratio (SMSR) above 55 dB. At room temperature, the current threshold is 36 mA and the maximum coupled power in the silicon waveguide is 22 mW.
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Hélène Duprez, Antoine Descos, Thomas Ferrotti, Corrado Sciancalepore, C. Jany, et al.. 1310 nm hybrid InP/InGaAsP on silicon distributed feedback laser with high side-mode suppression ratio. Optics Express, 2015, 23 (7), pp.8489-8497. ⟨10.1364/OE.23.008489⟩. ⟨hal-01489445⟩
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