Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) growth of III-V and III-Nitrides nanowires on silicon - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) growth of III-V and III-Nitrides nanowires on silicon

Yamina Andre
Zhenning Dong
  • Fonction : Auteur
Elissa Roche
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1024742
Geoffrey Avit
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 774335
  • IdRef : 186145845
Catherine Bougerol
Christelle Varenne
Fabrice Audonnet
Pierre Fontanille
Joël Leymarie
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 835166
Guillaume Monier
Evelyne Gil
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01658883 , version 1 (07-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01658883 , version 1

Citer

Yamina Andre, Zhenning Dong, Elissa Roche, Geoffrey Avit, Vladimir G. Dubrovskii, et al.. Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) growth of III-V and III-Nitrides nanowires on silicon . Energy Materials Nanotechnology EMN Epitaxy, EMN Europe Meetings, Sep 2017, Barcelone, Spain. ⟨hal-01658883⟩
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