Crystal Structure, Stability, and Physical Properties of Metastable Electron-Poor Narrow-Gap AlGe Semiconductor - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Inorganic Chemistry Année : 2017

Crystal Structure, Stability, and Physical Properties of Metastable Electron-Poor Narrow-Gap AlGe Semiconductor

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Dates et versions

hal-01783571 , version 1 (02-05-2018)

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Citer

Romain Viennois, Roseline Esmilaire, Loic Perriere, Abel Haidoux, Eric Alleno, et al.. Crystal Structure, Stability, and Physical Properties of Metastable Electron-Poor Narrow-Gap AlGe Semiconductor. Inorganic Chemistry, 2017, 56 (19), pp.11591 - 11602. ⟨10.1021/acs.inorgchem.7b01318⟩. ⟨hal-01783571⟩
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