Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2011
Dauverchain Eric : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01791380
Soumis le : lundi 14 mai 2018-15:42:43
Dernière modification le : mercredi 7 février 2024-15:42:07
Citer
N. Abboud, Y. Cuminal, A. Foucaran, C. Salame. Detection of traps induced and activated by high field stress in an N-channel VDMOSFET transistor using current deep level transient spectroscopy (CDLTS). Microelectronic Engineering, 2011, 88 (11), pp.3333 - 3337. ⟨10.1016/j.mee.2011.08.008⟩. ⟨hal-01791380⟩
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