Design and fabrication of InAs/InAsSb superlattice XBn photodetector and GaInAsSb/GaSb heterojunction for operation in the midwave infrared domain - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02056834 , version 1 (04-03-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02056834 , version 1

Citer

Ulisses Zavala-Moran, Rodolphe Alchaar, V.H. Compean-Jasso, F. de Anda, J.P. Perez, et al.. Design and fabrication of InAs/InAsSb superlattice XBn photodetector and GaInAsSb/GaSb heterojunction for operation in the midwave infrared domain. Escuela latinoamericana de Optica, Oct 2018, Leon, Mexico. ⟨hal-02056834⟩
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