Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2016
Georges Bremond : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02073088
Soumis le : mardi 19 mars 2019-15:58:34
Dernière modification le : vendredi 1 mars 2024-18:20:03
Citer
L. Wang, J. Chauveau, R. Brenier, V. Sallet, F. Jomard, et al.. Access to residual carrier concentration in ZnO nanowires by calibrated scanning spreading resistance microscopy. Applied Physics Letters, 2016, 108 (13), pp.132103. ⟨10.1063/1.4945100⟩. ⟨hal-02073088⟩
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