Tungsten polyoxometalate as an interfacial layer for solution processed high performance metal oxide transistors - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2017

Tungsten polyoxometalate as an interfacial layer for solution processed high performance metal oxide transistors

Kyndiah Adrica
  • Fonction : Auteur
Ablat Abuleziz
  • Fonction : Auteur
Amsalem Patrick
  • Fonction : Auteur
Chiodini Stefano
  • Fonction : Auteur
Alic Tugbahan Yilmaz
  • Fonction : Auteur
Topal Yasemin
  • Fonction : Auteur
Kus Mahmut
  • Fonction : Auteur
Fasquel Sophie
  • Fonction : Auteur
Hirsch Lionel
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02095472 , version 1 (10-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02095472 , version 1

Citer

Kyndiah Adrica, Ablat Abuleziz, Amsalem Patrick, Chiodini Stefano, Alic Tugbahan Yilmaz, et al.. Tungsten polyoxometalate as an interfacial layer for solution processed high performance metal oxide transistors. International exhibition and conference for printed electronics industry, Mar 2017, Munich, Germany. ⟨hal-02095472⟩
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