Low damage patterning of In 0.53 Ga 0.47 As film for its integration as n-channel in a fin metal oxide semiconductor field effect transistor architecture - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science & Technology A Année : 2018

Low damage patterning of In 0.53 Ga 0.47 As film for its integration as n-channel in a fin metal oxide semiconductor field effect transistor architecture

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hal-02145945 , version 1 (03-06-2019)

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Citer

Maxime Bizouerne, Erwine Pargon, Camille Petit-Etienne, Sébastien Labau, Sylvain David, et al.. Low damage patterning of In 0.53 Ga 0.47 As film for its integration as n-channel in a fin metal oxide semiconductor field effect transistor architecture. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2018, 36 (6), pp.061305. ⟨10.1116/1.5051505⟩. ⟨hal-02145945⟩
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