AlN Etching under ICP Cl 2 /BCl 3 /Ar Plasma Mixture: Experimental Characterization and Plasma Kinetic Model - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue MRS Advances Année : 2019

AlN Etching under ICP Cl 2 /BCl 3 /Ar Plasma Mixture: Experimental Characterization and Plasma Kinetic Model

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02187840 , version 1 (18-07-2019)

Identifiants

Citer

Mohammad Rammal, Ahmed Rhallabi, Delphine Néel, Dalila Make, Alexandre Shen, et al.. AlN Etching under ICP Cl 2 /BCl 3 /Ar Plasma Mixture: Experimental Characterization and Plasma Kinetic Model. MRS Advances, 2019, 4 (27), pp.1579-1587. ⟨10.1557/adv.2019.84⟩. ⟨hal-02187840⟩
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